如果说晶体管能够被称为20世纪伟大的发明,那么毫无疑问,MO技巧ET在其中功不可没。1925年,关于MO技巧ET基本原理的专利发表,1959年贝尔实验室发明了基于此原理的MO技巧ET
什么是MO技巧ETMO技巧ET的原意是:MOS(metal Oxide Semiconductor金属氧化物 MO技巧ET的原意是:MOS(metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor
MO技巧ET的技术方案和MO技巧ET的应用笔记以及MO技巧ET的电路图 2020-04-06 10:37 分类:模拟/电源 MO技巧ET 固有体二极管 精简MO技巧ET数据表(四)——脉冲电流额定值今天
本文将探讨如何选择用于热插拔的MO技巧ET(金氧半场效晶体管)。 当电源与其负载突然断开时,电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压,对电路
